梅县名人梁春广介绍
梁春广（1939.02.01—2003.05.27），广东梅县人，半导体物理与器件专家，中国工程院院士。
1954年入读梅县高级中学；1957年考入中山大学；1961年毕业于中山大学物理系，被分配到电子部第十三研究所工作，先后担任第十三所第一研究室技术员、课题组长，第一研究室主任、教授级高级工程师、副总工程师、科技委主任、研究所副所长；1995年当选中国工程院院士；1997年当选为中国共产党第十五次全国代表大会代表。
20世纪60年代，梁春广荣获全国科学大会奖。1985年荣获国家科技进步奖一等奖。1986～1987年研制出“分子束外延超晶格场效应器件”。1992年评为国家有突出贡献中青年专家。1997年获电子工业部电子杰出人才（荣誉）奖。2001年荣获“国家八六三计划重要贡献奖”。2002年荣获第九届何梁何利基金奖及河北省院士特殊贡献二等奖。
梁春广人物生平
1939年2月，梁春广出生于广东梅县城南乡圣人寨。1954年，梁春广入读梅县高级中学。1957年考入中山大学，1961年毕业于中山大学物理系。
1961年从中大毕业后分配到电子部第十三研究所工作，担任十三所第一研究室技术员、课题组长，第一研究室主任、教授级高级工程师。
1986年6月至1987年12月，梁春广曾作为高级访问学者赴德国赫兹通信研究所（HHI）任客座研究员，成功研制出“分子束外延配超晶格调制掺杂场效应器件”。
1986年至1987年，梁春广在德国赫兹通信技术研究所（HHI）研制出“分子束外延超晶格场效应器件”，提出最佳材料和器件结构及非合金欧姆接触法。
1988年回国后，梁春广担任第十三所副总工程师、科技委主任；1990年，梁春广任第十三所副所长，主要领导和组织研究所的战略规划和科技发展。
1989年后，梁春广担任国家863计划光电子主题第二、三届专家组成员，第四届专家组组长；国家自然科学基金委半导体学科评审组第三、四届成员，第五届副组长，光电子学科第七、八届成员；国家自然科学奖信息学科评委；微电子专家组成员、顾问，微米/纳米专家组成员、顾问；北大微米（纳米）国防科技重点实验室学术委员会主任；第十三所研究所GaAs专用电路国防科技重点实验室学术委员会主任等职务。
2003年5月27日17时30分，梁春广先生因病于石家庄逝世，享年65岁。
梁春广主要成就
科研综述
梁春广一直从事半导体器件设计与研制工作，他最主要的科研成果是20世纪80年代研制成功中国国内第一代GaAsFET，而GaAsFET是集成电路的核心元件。在全面的器件参数、结构和工艺设计，解决亚微米删制作难题等方面作出突出贡献。
20世纪世纪90年代后，梁春广主要致力于两项工作。一项是极力推动“半导体照明灯”在国内的发展；另一项是“纳米半导体科学技术”。这是当时最具吸引力的科技项目，是推动下一轮技术革命的突破口和制高点。
2002年，梁春广创办《微纳电子技术》杂志，为促进中国纳米电子技术发展构造一个学术论坛。
论文著作
1.《2．5Gb/s PIN-HEMT光接收机噪声精确模拟》——电子学报；1996年11期
2.《偏置相关GaAs MESFET建模分析》——半导体情报；1996年02期
3.《光电器件模型在微波非线性电路模拟器中的实现》——通信学报；1998年02期
4.《PIN光电探测器等效电路模型研究》——微波学报；1998年01期
5.《单模半导体激光器噪声特性预测》——电子科学学刊；1998年05期
6.《一个简单的量子阱激光器等效电路模型》——固体电子学研究与进展；1999年03期
7.《OEIC跨阻光接收机中电感技术的研究》——清华大学学报（自然科学版）；1999年09期
8.《一个金属-半导体-金属光电探测器等效电路模型》——电子科学学刊；1999年04期
9.《改进的HEMT器件噪声等效电路模型》——清华大学学报（自然科学版）；2001年07期
10.《MEMS光开关“》——半导体学报：英文版；2001年12期
11.《体硅MEMS 2D光开关研究 》——光纤通信；2001年03期
12.《高速低阈值半导体激光器速率方程模型参数的直接确定》——固体电子学研究与进展；2002年01期
13.《RF MEMS技术》——微纳电子技术；2002年01期
14.《电子13所电子技术进展》——光纤通信；2002年01期
15.《串联MEMS开关的瞬态电磁场分析》——微纳电子技术；2003年07期
16.《MEMS光开关技术进展》 ——世界产品与技术； 2003年06期
科研获奖
1961年至1964年，梁春广参与研制的锗高频台式晶体管，为国家电台提供关键器件；
1965年至1970年，梁春广研制成功Si MOSFET，并作为主要参加者荣获全国科学大会奖；
1985年，梁春广荣获国家科技进步奖一等奖。
1978年，梁春广研制的“高频低噪声晶体管系列”产品荣获全国科学大会奖。
1978年至1985年，梁春广的“CX型GaAs场效应晶体管系列”成果分别获得电子工业部科技成果一等奖4项（CX50、55、57、59），国务院国防工业重大技术改造成果二等奖（CX51），电子部科技成果二等奖（CX58），全国科技进步一等奖（低噪GaAs场效应晶体管系列）。
1988年至2003年间，梁春广一直承担领导砷化镓超高速电路、电子电子器件、光电子器件及光电集成等多项国家重点科技项目，并荣获国家科技进步奖。
1992年，梁春广被评为国家有突出贡献中青年专家。
1993年，梁春广的“GaAs超高速电路和2英寸工艺技术”项目荣获中国光华基金一等奖。
1997年，梁春广荣获电子工业部电子杰出人才（荣誉）奖。
2001年，梁春广荣获“国家八六三计划重要贡献奖”。
1997年，梁春广当选为中国共产党第十五次全国代表大会代表出席党的十五大，同年开始担任硕士、博士生导师。
2002年，梁春广荣获第九届何梁何利基金奖及河北省院士特殊贡献二等奖。
教育工作
1997年梁春广担任十三所硕士、博士生导师，以及清华大学、吉林大学、河北工业大学等兼职教授和博士生导师。
华东师范大学教授高建军曾师从梁春广，于1994年获得电子工业部第十三研究所微电子学硕士学位，于1999年3月获得清华大学电子系电磁场与微波技术专业工学博士学位。
1995年，梁春广当选中国工程院院士。
1999年，梁春广荣获全国归侨、侨眷先进个人称号。
梁春广人物评价
“（梁春广）在四十多年的科研生涯中，他无私奉献，奋力拼搏，潜心钻研，严谨治学，弘扬‘两弹一星’精神，自觉践行‘三个代表’重要思想，为我国半导体微电子、光电子事业的振兴和发展，屡建功勋，硕果累累。”（中国工程院评）
如果用三个词来概括梁春广的特点，那就是：认真、诚实、有责任心。做科研项目的时候，梁春广可以一遍一遍地分析、测量数据，改进设计和工艺，直到达标。（梁春广之女梁亚平评）
梁春广补充介绍
梁春广（1939.02.01-2003.05.27）半导体器件专家。广东省梅县人。1961年毕业于中山大学。电子工业部第13研究所副所长、科技委主任、高级工程师。60年代在锗高频管和硅MOSFET研制中作出贡献，做为参加者荣获全国科学大会奖。70年代作为主要负责人研制成功我国第一代GaAs FET，在全面的器件参数、结构和工艺设计，解决亚微米删制作难题等方面作出突出贡献，获1985年国家科技进步奖一等奖。1986～1987年在德国研制“分子束外延超晶格场效应器件”，提出了最佳材料和器件结构及非合金欧姆接触法等。1988年至今一直承担领导砷化镓超高速电路、电子电子器件、光电子器件及光电集成等多项国家重点科技项目，并荣获国家科技进步奖。1995年当选为中国工程院院士。
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