红古名人马佐平介绍
马佐平，1945年11月生于甘肃省兰州市，微纳电子科学家，美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士、台湾“中央研究院”院士，耶鲁大学Raymond John Wean讲座教授 。
马佐平于1968年从台湾大学电机系毕业后赴美国留学 ；1974年从美国耶鲁大学博士毕业后，进入国际商业机器公司（IBM）系统产品部工作；1977年进入耶鲁大学电机系工作，先后担任副教授、教授 ；1991年至1995年担任耶鲁大学电机系主任；1999年至2016年担任耶鲁大学电机系微电子中心共同主任；2002年担任耶鲁大学Raymond John Wean讲座教授；2003年当选为美国国家工程院院士；2005年至2014年担任北京大学—耶鲁大学微电子及纳米技术联合研究中心共同主任；2008年当选为中国科学院外籍院士 ；2012年当选为第29届台湾“中央研究院”院士 。
马佐平的研究领域集中在半导体、积体电路和前缘记忆储存科技，以及电晶体材料及器件物理方面 。
马佐平人物经历
1945年11月，马佐平出生于中国甘肃省兰州市，原籍浙江省东阳市 。
1949年，四岁时随父母到了台湾 。
1968年，从台湾大学电机系毕业，此后赴美国留学。
1971年，从美国耶鲁大学毕业，获得硕士学位。
1974年，从美国耶鲁大学毕业，获得博士学位。
1974年—1975年，担任国际商业机器公司（IBM）系统产品部高级副工程师。
1975年—1977年，担任IBM系统产品部正工程师。
1977年—1985年，担任耶鲁大学电机系及应用物理系副教授。
1983年，担任美国加州大学柏克莱分校访问员。
1985年，晋升为教授。
1988年—1991年，担任耶鲁大学电机系代理系主任。
1991年—1995年，担任耶鲁大学电机系主任。
1999年—2016年，担任耶鲁大学电机系微电子中心共同主任。
2000年—2007年，担任耶鲁大学电机系主任。
2002年7月，担任耶鲁大学Raymond John Wean讲座教授。
2003年，当选为美国国家工程院院士。
2005年—2014年，担任北京大学—耶鲁大学微电子及纳米技术联合研究中心共同主任 。
2008年，当选为中国科学院外籍院士 。
2012年，当选为第29届台湾“中央研究院”院士 。
马佐平主要成就
科研综述
马佐平于1970年始在做超薄（～4纳米）栅氧化硅研究中指出隧穿电流对MOS特性的重要影响，发现了辐射效应或热载子效应所产生的界面陷阱与在界面附近的应变分布有直接的关联，而据此提出一个“栅诱导的应变分布”模式来解释实验的结果，推出在栅氧化硅内掺入极小量的诸如氟、氯或氮等杂质来促成应变的弛豫以降低辐射或热载子效应的方法。发现了一个在经历辐照MOS内的界面陷阱的转型现象，并随后对此做了系统的研究。他最先提出用氮化硅（Si3N4）做MOS栅介质以取代二氧化硅（SiO2）的概念并首先用实验证明其可行性，推动了引入用更高介电常数的栅介质的理念，进而推展未来的MOS科技。Intel、IBM等公司宣布量产High-k Gate Dielectrics的芯片， 正式实践了马佐平早期理念。他的研究小组创先使用“非弹性电子隧道谱”（IETS）的方法来探测超薄高介电常数的介质内的微结构、微缺陷及杂质 。
指导学生
根据2021年4月中国科学院网站显示，马佐平在耶鲁大学培养了大批华裔微电子科技专家，其中40多位中国学生在他指导下获得博士学位 。
合作交流
根据2021年4月中国科学院网站显示，马佐平从1993年以来，几乎每年都回国，多次到中国空间技术研究院、中国科学院、清华大学、北京大学、山东大学、天津大学、复旦大学、上海交通大学、厦门大学等科研机构和大学讲学 。
1994年至2000年间，马佐平研究小组与中国科学院新疆物理所的辐射效应小组密切合作，促使中国科学院新疆物理所成为中国的半导体器件的辐射效应中心之一。2002年到2005年，与清华大学共同研发制造先进的闪存器件。2005年，马佐平与北大微电子学研究院王阳元共同成立了北京大学—耶鲁大学微电子及纳米技术联合研究中心，合作研讨微电子及纳米电子领域的最先进的科学课题 。
教育成果奖励
马佐平两次得BFGoodrich之全美国大学生发明人指导教授奖（1993年，1998年） 。
时间
荣誉表彰
授予单位
1991
美国洋基创新奖（Yankee Ingenuity Award）
1994
电气与电子工程师协会会士（IEEE Fellow）
电气与电子工程师协会（IEEE）
1998
Paul Rappaport奖
电气与电子工程师协会电子器件社（IEEE Electron Device Society）
2003年
美国国家工程院院士
美国国家工程院
2005年
安德鲁.葛洛夫大奖（Andrew Grove）
电气与电子工程师协会（IEEE）
2006年
大学研究大奖（首位华人）
美国半导体工业协会（Semiconductor Industry Association）
2008年
美国康乃迪克科技奖牌（Connecticut Medal of Technology）
2008年
中国科学院外籍院士
中华人民共和国国务院
2014年
台湾大学杰出校友奖
台湾大学
2016年
台湾交通大学荣誉博士学位
台湾交通大学
2018年
美国华人科技协会杰出成就奖
美国华人科技协会
马佐平人物评价
马佐平对金属/氧化物/半导体（MOS）的科学认知及技术发展，尤其是在MOS栅介质（包括高介电常数的栅介质）的科技领域做出重要贡献 。（中国科学院评）
马佐平在推动全球半导体科技进展和教育杰出人才方面做出了重要贡献 。（台湾交通大学评）
马佐平以半导体物理科技专长享誉国际，在MOS闸极介质的科技领域内有领先性的研究成果，为半导体科技迈进全新时代带来重要影响。其所培育的学生也成为半导体和电脑硬体领域的先驱 。（台湾交通大学校长张懋中评）
马佐平补充介绍
美国国籍，微纳电子科学家。1945年11月生于甘肃省兰州市。1974年获得美国耶鲁大学博士学位。现任美国耶鲁大学教授。2003年当选为美国工程院院士。
马佐平对金属/氧化物/半导体(MOS)的科学认知及技术发展，尤其是在MOS栅介质 (包括高介电常数的栅介质）的科技领域做出重要贡献。1970年始他在做超薄（～4纳米）栅氧化硅研究中指出隧穿电流对MOS特性的重要影响，发现了辐射效应或热载子效应所产生的界面陷阱与在界面附近的应变分布有直接的关联，而据此提出一个“栅诱导的应变分布”模式来解释实验的结果，推出在栅氧化硅内掺入极小量的诸如氟、氯或氮等杂质来促成应变的弛豫以降低辐射或热载子效应的方法。发现了一个在经历辐照MOS内的界面陷阱的转型现象，并随后对此做了系统的研究。他最先提出用氮化硅(Si3N4)做MOS栅介质以取代二氧化硅(SiO2)的概念并首先用实验证明其可行性，推动了近年引入用更高介电常数的栅介质的理念，进而推展未来的MOS科技。最近Intel、IBM等公司宣布量产High-k Gate Dielectrics的芯片， 正式实践了马佐平早期理念。最近，他的研究小组创先使用“非弹性电子隧道谱”（IETS）的方法来探测超薄高介电常数的介质内的微结构、微缺陷及杂质。IETS有望将来被广泛使用，从而进一步推动MOS栅介质的研究及发展。
马佐平在耶鲁大学培养了大批华裔微电子科技专家，其中40多位中国学生在他指导下获得博士学位。1993年以来，他几乎每年都回国，多次到中国航天技术院、中国科学院、清华大学、北京大学、山东大学、天津大学、复旦大学、上海交通大学、厦门大学等科研机构和大学讲学。1994年至2000年间，马佐平研究小组与中科院新疆物理所的辐射效应小组密切合作，促使中科院新疆物理所成为中国的半导体器件的辐射效应中心之一。2002年到2005年，与清华大学共同研发制造先进的闪存器件，对清华大学闪存科研的进展有较大的贡献。2005年，马佐平与北大微电子学研究院王阳元共同成立了北大-耶鲁微纳电子合作研究中心，合作研讨微电子及纳米电子领域的最先进的科学课题。马佐平受聘为福建省信息产业专家委员会委员，福建省政府顾问，苏州工业园区微电子业首席顾问。2010年，马佐平将与国内同行专家在中国合作主办第十届国际固态和集成电路技术会议（ICSICT）。
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