镇平名人王占国介绍
王占国，男，1938年12月生，河南省镇平人，半导体材料及材料物理学家，中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师。
王占国1962年毕业于南开大学物理系，同年到中国科学院半导体所工作。曾任中科院半导体所副所长，国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长。1995年当选为中国科学院院士。
王占国长期从事半导体材料光电性质、半导体深能级和光谱物理研究，砷化镓材料与器件关系研究，半导体低维结构材料与量子器件研究等工作。
王占国人物经历
1938年12月，王占国出生于河南镇平县。
1962年，毕业于南开大学物理系，同年到中国科学院半导体所工作。
1980年至1983年，王院士赴瑞典隆德大学固体物理系，从事深能级物理和光谱物理研究。
1986年，任中国科学院半导体所研究员，材料室主任。
1990年，被批准为博士生导师。
1990年至1994年，任中国科学院半导体所副所长。
王占国主要成就
科研综述
据2020年6月中国科学院半导体所官网显示，王占国长期从事半导体材料和材料物理研究。从1980年起，主要从事半导体深能级物理和光谱物理研究，提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同—缺陷不同能态的新方法，解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论。提出混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理模型，解释了它们的物理起因。提出了GaAs电学补偿五能级模型和电学补偿新判据。协助林兰英先生，首次在太空从熔体中生长了GaAs单品并对其光电性质作了系统研究。近年来，领导的实验组又在应变自组装In(Ga)As/GaAs，In(Ga)As/InAlAs/InP等量子点（线）与量子点（线）超晶格材料和量子级联激光器和探测器材料生长和大功率量子点激光器、量子级联激光器和探测器以及太赫兹激光器研制方面获得突破。最近，又提出了柔性衬底的概念，开拓了大失配材料体系研制的新方向。
科技成果奖励
获奖项目
获奖年份
获奖级别
自组织生长量子点激光材料和器件研究
2001
国家自然科学二等奖
-
1990
国家科技进步三等奖
-
2000
中国科学院自然科学一等奖
-
1989
中国科学院科技进步一等奖
-
1995、1997
中国科学院科技进步二等奖
-
1990
中国科学院科技进步三等奖
-
-
国家重点科技攻关奖
参考资料：
承担项目
来源
名称
备注
时限
国家重点基础研究发展规划项目
信息功能材料相关基础问题
首席科学家
2000年10月-2005年9月
国家重点基础研究发展规划项目
应变自组织量子点、量子线材料的可控生长和器件应用
负责人
2006年9月-2011年9月
国家自然科学基金重大研究计划重点课题
半导体量子点中间带光伏电池基础研究
学术骨干
2014年9月-2018年9月
国家自然科学基金重大项目子课题
有机/无机复合半导体复合光伏器件结构设计、制备与性质研究
负责人
2010年1月-2013年12月
参考资料：
学术论著
据2020年6月中国科学院半导体所官网显示，王占国先后与合作者一起在国际学术刊物发表论文200余篇。
1. 王占国,陈立泉,屠海令.中国材料工程大典（第11～13卷）[M].北京：化学工业出版社，2006.
2. 王占国,陈涌海,叶小玲等..纳米半导体技术[M].北京：化学工业出版社，2006.
3. 王占国,郑有炓等.半导体材料研究进展[M].北京：高等教育出版社，2012.
4.Zhang Z Y, Zhanguo Wang (Z.G.Wang), Xu B, et al. High-performance quantum-dot superluminescent diodes[J]. Photonics Technology Letters, IEEE, 2004, 16(1): 27-29.
5. X.Q. Lv, N.Liu, P.Jin, and Zhanguo Wang (Z.G.Wang), Broadband emitting superluminescent diodes with InAs quantum dots in AlGaAs matrix. IEEE Photonics Technology letters, 2008, vol.20, No.20. 1742.
6. Yang A L, Song H P, Wei H Y, et al. Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy[J]. Applied Physics Letters, 2009, 94(16): 163301.
7. Yu Liu, Yonghai Chen, Zhanguo Wang (Z.G.Wang), 2010， Photoexcited charge current for the presence of pure spin current, Appl. Phys. Letts. 96, 262108
8.C.L.Zhang, Zhanguo Wang (Z.G.Wang) Y.H.Chen et al, Site controlling of InAs quantum wires on cleaved edge of AlGaAs/GaAs superlattice, Nanotechnology, 2005, 16(8): 1379
9.Baochang Cheng, Zhanguo Wang (Z.G.Wang), Synthesis and Optical Properties of Europium-doped ZnS Long-Lasting Phosphorescence from Aligned Nanowires, Advanced functional materials, 2005, 15: 1883-1890
10.王占国. 微电子技术极限对策探讨[J].中国科学院院刊,2007, 22(6):480.
11. Meng X Q, Chen Z Q, Jin P, et al. Defects around self-organized InAs quantum dots measured by slow positron beam[J]. Applied Physics Letters, 2007, 91(9): 093510.
12. Lv X Q, Liu N, Jin P, et al. Broadband emitting superluminescent diodes with InAs quantum dots in AlGaAs matrix[J]. Photonics Technology Letters, IEEE, 2008, 20(20): 1742-1744.
13. Zhang Z Y, Hogg R A, Xu B, et al. Realization of extremely broadband quantum-dot superluminescent light-emitting diodes by rapid thermal-annealing process[J]. Optics letters, 2008, 33(11): 1210-1212.
14.W.Lei, Y.H.Chen, Zhanguo Wang (Z.G.Wang), Review paper：Ordering of Self-Assembled Quantum Wires on InP(001) Surfaces. One-Dimensional Nanostructures，Chapter 12: 291，Springer. Editor: Z.M.Wang. 2007
15. Wu J, Chen Y H, Zhanguo Wang (Z.G.Wang). Epitaxial Semiconductor Quantum Wires[J]. Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2008, 8(7): 3300-3314.
16. Chen J Y, Liu J, Wang T, et al. Monolithically integrated terahertz quantum cascade array laser[J]. Electronics letters, 2013, 49(25): 1632-1633.
17.Liang J, Hongling X, Xiaoliang W, et al. Enhanced performance of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with patterned sapphire substrate[J]. Journal of Semiconductors, 2013, 34(12): 124004.
18. Chi D, Qu S, Zhanguo Wang (Z.G.Wang), et al. High efficiency P3HT: PCBM solar cells with an inserted PCBM layer[J]. Journal of Materials Chemistry C, 2014, 2(22): 4383-4387.
19. Chi D, Qi B, Wang J, et al. High-performance hybrid organic-inorganic solar cell based on planar n-type silicon[J]. Applied Physics Letters, 2014, 104(19): 193903.
20. Qu S, Wang X, Xiao H, et al. Analysis of transconductance characteristic of AlGaN/GaN HEMTs with graded AlGaN layer[J]. The European Physical Journal Applied Physics, 2014, 66(02): 20101.
21. Li H, Liu X, Sang L, et al. Determination of polar C‐plane and nonpolar A‐plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X‐ray photoelectron spectroscopy[J]. physica status solidi (b), 2014, 251(4): 788-791.
22. Feng Y, Liu G, Yang S, et al. Interface roughness scattering considering the electrical field fluctuation in undoped AlxGa1? xN/GaN heterostructures[J]. Semiconductor Science and Technology, 2014, 29(4): 045015.
23. Liu K, Qu S, Zhang X, et al. Sulfur-doped black silicon formed by metal-assist chemical etching and ion implanting[J]. Applied Physics A, 2014, 114(3): 765-768.
24. Liu Y, Chen Y, Wang C, et al. Effective period potential in a hybrid mesoscopic ring with Rashba spin–orbit interaction[J]. Physics Letters A, 2014, 378(5): 584-589.
25. Tan F, Qu S, Wang L, et al. Core/shell-shaped CdSe/PbS nanotetrapods for efficient organic–inorganic hybrid solar cells[J]. Journal of Materials Chemistry A, 2014, 2(35): 14502-14510.
26. Yong-Zheng H, Feng-Qi L, Li-Jun W, et al. Confined and Interface Phonons in Chirped GaAs-AlGaAs Superlattices[J]. Chinese Physics Letters, 2014, 31(6): 064211.
27. He K, Quan W, Hong-Ling X, et al. High-Voltage AlGaN/GaN-Based Lateral Schottky Barrier Diodes[J]. Chinese Physics Letters, 2014, 31(6): 068502.
28. Fang-Liang Y, Jin-Chuan Z, Dan-Yang Y, et al. Design and Fabrication of Six-Channel Complex-Coupled DFB Quantum Cascade Laser Arrays Based on a Sampled Grating[J]. Chinese Physics Letters, 2014, 31(1): 014209.
29. Heng Z, Shao-Yan Y, Gui-Peng L, et al. Mobility limited by cluster scattering in ternary alloy quantum wires[J]. Chinese Physics B, 2014, 23(1): 017305.
30.Jian-Xia W, Lian-Shan W, Shao-Yan Y, et al. Effects of V/III ratio on a-plane GaN epilayers with an InGaN interlayer[J]. Chinese Physics B, 2014, 23(2): 026801.
31. Tan F, Qu S, Yu P, et al. Hybrid bulk-heterojunction solar cells based on all inorganic nanoparticles[J]. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2014, 120: 231-237.
培养理念
王占国在科研方面的体会：一是作为科技工作者要实事求是、坚持真理；二是不盲从权威，敢于挑战科学难题；三是要有不耻下问、打破砂锅问到底的精神。
培养成果
据2020年6月中国科学院半导体所官网显示，王占国先后培养硕士、博士和博士后百余名。
1995年当选为中国科学院院士。
2001年获得何梁何利科学与技术进步奖。
王占国人物评价
王院士在半导体材料和材料物理领域取得了杰出的成就。在早期职业生涯中，他致力于人造卫星用硅太阳能电池辐照效应以及和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照效应研究，为中国的两弹一星事业做出了贡献。（《半导体学报》评）
王占国院士为中国半导体材料和材料物理研究方面做出的系统性和创新性的突出贡献，拥有坚持不懈、锐意进取的科学精神和爱国奉献、平易近人的优秀品质，为学部发展、国家科学思想库建设和在青年科技人才培养方面取得了突出成绩。（中国科学院院长、党组书记白春礼评）
“近60年来，王占国院士在半导体材料科学研究等方面取得了一系列重大成果，为国家半导体科技事业的发展做出了突出贡献；王占国院士心系国家和半导体所的发展，为我国科技事业和半导体所的发展建言献策；王占国院士以教育为己任，甘为人梯、提携后进，为国家培养和造就了一大批优秀科技人才。他还回顾了自己1993年作为博士生进入半导体所时，王占国院士对他的深切教诲，指出王占国院士坚持真理的科学精神、报效祖国的爱国情操和淡泊名利的崇高品格为我们树立了楷模，是我们晚辈后学的宝贵财富。”（中科院副院长、中国科学院大学党委书记、校长李树深院士评）
“近60年来，王院士以强烈的事业心、责任感、使命感，为我国半导体材料学科建设和技术创新做出了杰出贡献，而且毫无保留的将自己的学识、经验、成果奉献、传授给年轻一代，为推进人才培养做出了卓越贡献。”（中国科学院半导体所副所长祝宁华评）
王占国补充介绍
王占国，半导体材料物理学家。河南省镇平人。1962年毕业于南开大学物理系。中国科学院半导体所研究员。1995年当选为中国科学院院士。
早期致力于半导体材料光电性质和硅太阳电池辐照效应研究。从1980年起，主要从事半导体深能级物理和光谱物理研究，提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同—缺陷不同能态的新方法，解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论。提出混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线0的物理模型，解释了它们的物理起因。提出了GaAs电学补偿五能级模型和电学补偿新判据。协助林兰英先生，首次在太空从熔体中生长了GaAs单品并对其光电性质作了系统研究。近年来，他领导的实验组又在应变自组装In(Ga)As／GaAs，In(Ga)As／InAlAs／InP等量子点(线)．与量子点(线)超晶格材料生长和大功率量子点激光器研制方面获得突破。最近，他又提出了柔性衬底的概念，开拓了大失配材料体系研制的新方向。
“王占国”人物信息来自互联网，如果您发现人物介绍有误或有更新，请点我纠正/更新。