乐亭名人吴德馨介绍
吴德馨，女，1936年12月20日出生于河北乐亭县 ，半导体器件和集成电路专家，中国科学院学部委员，中国科学院微电子所研究员 。
吴德馨于1961年从清华大学无线电电子工程系毕业后分配至中国科学院半导体研究所工作；1986年调入中国科学院微电子中心工作；1991年至1997年担任中国科学院微电子中心第二届、第三届主任；1991年当选为中国科学院学部委员（院士）。1992年被中华人民共和国国家科学技术委员会聘为“深亚微米结构器件和介观物理”项目首席科学家 。
吴德馨主要从事砷化镓微波集成电路和光电模块的研究 。
吴德馨人物经历
1936年12月20日，吴德馨出生于河北乐亭。
1961年，毕业于清华大学无线电电子工程系 ，毕业后分配至中国科学院半导体研究所工作。
1986年，调入新成立的中国科学院微电子中心（现中国科学院微电子研究所） 。
1986年—1989年，担任中国科学院微电子中心第一届副主任。
1991年—1997年，担任中国科学院微电子中心第二届、第三届主任 。
1991年，当选为中国科学院学部委员（院士） 。
1992年，被中华人民共和国国家科学技术委员会聘为“深亚微米结构器件和介观物理”项目首席科学家。
吴德馨主要成就
科研综述
吴德馨系统地研究成功第一代半导体硅双极型、MOS场效应型晶体管和大规模集成电路、第二代砷化镓异质结场效应和双极型晶体管与集成电路以及第三代氮化镓异质结场效应晶体管等，产生了重要的经济和社会效益 。
20世纪60年代初期，吴德馨作为主要负责人之一，在中国国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管，所提出的提高开关速度的方案被广泛采用，并向全国推广。20世纪60年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路。
20世纪70年代末期，吴德馨研究成功MOS4K位动态随机存储器。在中国国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制，并进行了提高成品率的研究。首先在中国国内突破了大规模集成电路（LSI）低下的局面。随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺，独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。
20世纪80年代末期，吴德馨自主开发成功3微米CMOS LSI全套工艺技术，用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化嫁异质结高电子迁移率晶体管。
20世纪90年代，吴德馨研究成功0.8微米CMOS LSI工艺技术，和0.1微米T型栅GaAsPHEMT器件 。
学术论著
根据2021年3月何梁何利基金网站显示，吴德馨先后编著三部、发表论文数十篇 。
科研成果奖励
根据2021年3月何梁何利基金网站显示，吴德馨先后获得国家新产品一等奖和国家科技进步二等奖各1项、中国科学院和北京市科技进步一等奖4项、中国科学院科技进步二等奖2项 。
获奖时间
项目名称
奖励名称
1964年
国家新产品一等奖
1980年
中国科学院科技成果一等奖
1981年
中国科学院科技成果一等奖
1998年
全套0.8微米CMOS工艺技术
中国科学院科技进步一等奖
1999年
全套0.8微米CMOS工艺技术
国家科技进步二等奖
2003年
先进的深亚微米工艺技术及新型器件
北京市科学技术一等奖
指导学生
根据2021年3月何梁何利基金网站显示，吴德馨先后培养研究生二十余名 。
团队建设
2020年，吴德馨所在的中国科学院微电子研究所集成电路核心技术创新团队获得2019年度中国电子信息科技创新团队奖 。
科研建议
2010年2月9日，吴德馨参加中国科学院微电子研究所七室举行“前沿与创新”学术研讨活动，她对七室未来的发展方向提出了建议并结合自身的科研经历向大家提出了要求，她鼓励科研人员要热爱本职工作、体会其中的乐趣，要勤于思考、扎扎实实做研究，要有高度的责任心、团队合作和互助精神，要在研究过程中有所突破，有所创新 。
时间
荣誉表彰
授予单位
1991年
中国科学院学部委员（院士）
中华人民共和国国务院
1992年
全国“三八”红旗手
中华全国妇女联合会
1992年
“九五”国家重大科技攻关先进个人
2004年
何梁何利基金科学与技术进步奖（技术科学奖）
何梁何利基金
吴德馨人物评价
吴德馨对中国半导体晶体管和集成电路的发展作出了重要的贡献 。（何梁何利基金评）
吴德馨完成了半导体平面型高速开关晶体管的研究，打破了中国国外封锁，为中国开关管的自给打下了基础，组织和领导了2微米2000门门阵列的研究，并获得成功，为发展中国微电子技术做出了贡献 。（中国人大网评）
吴德馨补充介绍
吴德馨,女，半导体器件和集成电路专家。1936年12月20日生于河北乐亭。1961年毕业于清华大学无线电电子工程系。中国科学院微电子中心研究员。1991当选为中国科学院院士（学部委员）。
60年初，作为主要负责人之一，在国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管，所提出的提高开关速度的方案被广泛采用，并向全国推广。六十年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路。70年代末研究成功MOS4K位动态随机存储器。在国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制，并进行了提高成品率的研究。首先在国内突破了LSI低下的局面。随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺，独创了检测腐蚀接触孔质量的-法。80年代末期自主开发成功3微米CMOSLSI全套工艺技术，用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化嫁异质结高电子迁移率晶体管。90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工艺技术，和0.1微米T型栅GaAsPHEMT器件。目前正在从事砷化镓微波集成电路和光电模块的研究。
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