文安名人王圩介绍
王圩，1937年12月25日出生于河北文安，半导体光电子学专家，中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师 。
王圩1960年从北京大学物理系半导体物理专业毕业，到中国科学院半导体研究所工作；1987年赴日本东京工业大学访问研究一年；1997年当选为中国科学院院士 ；2007年获得何梁何利基金科学与技术进步奖 。
王圩主要从事半导体材料和器件研究工作 。
王圩人物经历
1937年12月25日，王圩出生于河北省廊坊市文安县。
1960年，从北京大学物理系半导体物理专业毕业，到中国科学院半导体研究所工作，先后担任半导体所学术委员会副主任、光电子中心副主任。
1987年，赴日本东京工业大学访问研究一年。
1988年，担任中国科学院半导体研究所研究员。
1997年，当选为中国科学院院士 。
王圩主要成就
科研综述
王圩早期从事无位错硅单晶和Ⅲ—Ⅴ族化合物异质结液相外延研究，为使中国砷化镓基激光器从液氮温度提高到室温工作做出了贡献。1979年开始从事长波长镓铟砷磷四元双异质结激光器和动态单频激光器研究，其中代表性成果包括应变层多量子阱分布反馈激光器、反位相增益耦合型分布反馈激光器及其与扇形放大器单片集成的主振功放器件等 。
学术论著
根据2021年8月何梁何利基金网站显示，王圩先后发表相关论文99篇 。
承担项目
项目时间
项目名称
项目来源
2001年—2005年
新型量子阱功能材料和器件
国家“973”项目
2002年—2004年
光网络用光放大器、电吸收调制器和模斑转换器串接集成材料与器件的研究
国家自然基金重大项目
2017年—2021年
面向规模集成的硅基激光器
科研成果奖励
根据2021年8月何梁何利基金网站显示，王圩先后获得中国材料研究学会科学技术一等奖一次；国家科技进步奖二等奖两次；中国科学院科技进步奖一等奖一次、二等奖两次；国家“六.五”攻关奖一次；凝炼出了40项相关发明专利技术（已获国家发明专利授权16项） 。
根据2021年8月何梁何利基金网站显示，王圩先后培养的5名硕士、22名博士研究生中，有两名获得中国科学院院长奖，一名获得教育部宝钢奖 。
招生专业
王圩的招生专业是：微电子学与固体电子学、物理电子学 。
招生方向
王圩的招生方向是：基于InP光电子器件的集成、半导体激光器 。
教授课程
王圩教授《光子集成芯片材料与器件进展》《光子芯片集成材料与器件进展》课程 。
时间
荣誉表彰
授予单位
1988年
国家有突出贡献中青年专家
中华人民共和国人事部
1997年
中国科学院院士
中华人民共和国国务院
2007年10月
何梁何利基金科学与技术进步奖
何梁何利基金
王圩人物评价
王圩为中国光纤通信用半导体光电子器件的发展做出了贡献 。（中国科学院评）
王圩为中国半导体光电子科技事业及其产业化发展做出的系统性和创新性的突出贡献，勇于创新、锐意进取的科学精神，爱国奉献、平易近人的高尚品德，以及为国家科学思想库功能发挥和在青年科技人才培养方面取得的突出成绩。（2017年12月24日中国科学院院长、党组书记白春礼在贺信中评）
王圩补充介绍
王圩，半导体光电子学专家。1937年12月25日生于河北文安。1960年毕业于北京大学物理系半导体物理专业。中国科学院半导体研究所研究员。1997年当选为中国科学院院士。
早期从事无位错硅单晶和Ⅲ-Ⅴ族化合物异质结液相外延研究，为使我国砷化镓基激光器从液氮温度提高到室温工作做出了贡献。1979年开始从事长波长镓铟砷磷四元双异质结激光器和动态单频激光器研究，其中代表性成果包括应变层多量子阱分布反馈激光器、反位相增益耦合型分布反馈激光器及其与扇形放大器单片集成的主振功放器件等，为我国光纤通信用半导体光电子器件的发展做出了贡献。
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