大田名人郑有炓介绍
郑有炓，1935年10月1日生于福建大田，半导体材料与器件物理专家，中国科学院院士，南京大学物理系教授。
郑有炓1953年—1957年就读于南京大学物理系，毕业后获得理学学士学位；1957年起任教于南京大学物理系；1984年—1986年任美国纽约州立大学访问教授 ；2003年当选为中国科学院院士。
郑有炓从事新型半导体异质结构材料与器件研究。
郑有炓人物经历
1935年10月1日，郑有炓出生于福建大田。
1953年—1957年，就读于南京大学物理系，毕业后获得理学学士学位。
1957年起，任教于南京大学物理系。
1984年—1986年，任美国纽约州立大学访问教授。
2003年，当选为中国科学院院士。
郑有炓主要成就
科研综述
郑有炓在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中，发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的光辐射加热方法和新技术。基于锗硅、Ⅲ族氮化物极化能带工程，发展了多种新器件。提出并实现了铁电体/氮化镓、铁磁体/半导体异质结构新体系。发现锗硅合金应变诱导有序化新结构，提出新模型。揭示Ⅲ族氮化物异质结构极化、二维电子气及其相关性质。观测到碲化镉/锑化铟异质结构二维电子气及占据子带规律，开拓II-VI/III-V族异质体系二维电子气研究领域。提出基于锗硅技术实现二氧化硅/硅界面量子限制硅纳米结构。
学术论著
截至2019年7月，郑有炓与研究组已发表论文400余篇，已被SCI收录332篇，EI收录428篇，被SCI论文引用1683篇（其中他引1409 篇） ，其代表论著有《第三代半半导体材料》《太阳电池发展现状及性能提升研究》等。
学术交流
时间
学术活动名称
举办地
2004年9月
第十二届“小颗粒与无机团簇系列国际会议”
2011年4月
新材料产业发展与展望研讨会
福州
2020年11月
第十六届中国高校电子信息学院院长（系主任）年会
绍兴
发明专利
截至2019年7月，郑有炓已获得国家发明专利31项。
时间
专利名称
专利号
2001年7月25日
锗/硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器
CN1305232A
2002年8月14日
一种控制氮化镓(GaN)极性的方法
CN1363730A
2005年3月23日
利用氢化物汽相外延方法在硅衬底上生长GaN薄膜
CN1599032A
2008年9月24日
生长非极性面GaN薄膜材料的方法及其用途
CN101270471A
2009年5月13日
一种改善蓝宝石衬底上GaN厚膜完整性的方法
CN101431017A
承担项目
时间
项目名称
项目类别
1991年—1992年
新型GeSi红外探测器研究
江苏省科委项目
1991年—1995年
GeSi材料与器件研究开发
江苏省科委项目
1991年—1995年
GeSi超晶格材料与应用
国家八六三计划项目
1991年—1995年
GeSi超晶格材料生长、物性和器件开发
国家重大基础研究项目
1992年—1994年
GeSi红外探测器
国防科工委项目
1992年—1994年
GeSi基区异质结晶体管研究
国家自然科学基金项目
1993年—1995年
应变层结构GeSi/Si的稳定性及其改善对策研究
国家高技术863计划项目
1993年—1995年
GeSi/Si异质结构材料生长研究
国家高技术863计划项目
1993年—1995年
GeSi/Si超晶格材料表征研究
国家教委博士点基金项目
1993年—1995年
GeSi/Si超晶格选择外延研究
南京大学基金项目
1993年—1995年
新型GeSi材料与器件研究开发
江苏省科委项目
科研奖励
截至2022年2月，郑有炓已获得国家自然科学奖二等奖1项、国家技术发明奖三等奖1项、江苏省科技进步奖一等奖1项、教育部自然科学一等奖和技术发明一等奖各1项；还先后获得省部级科技进步奖8项以及国防科工委光华科技基金奖一等奖等奖项。
时间
获奖项目
奖励名称
1988年
InP-MIS界面与InP-MIS晶体管研究
江苏省科技进步三等奖
1989年
聚合物半导体薄膜及其应用的基础研究
江苏省科技进步三等奖
1990年
半导体变频C-V/G-V方法和VFC-1型微机变频C-V测试系统
江苏省科技进步三等奖
1992年
国防科工委光华科技基金一等奖
2004年
新型半导体异质结构和器件物理研究
国家自然科学奖二等奖
2016年
先进日盲紫外探测与应用技术
国家技术发明奖二等奖
实验室建设
郑有炓领导创建了南京大学半导体超晶格实验室。
培养成果
截至2022年6月，郑有炓培养的学生包括6位长江学者特聘教授、8位国家杰出青年科学基金获得者、5位国家973计划（重点研发计划）首席科学家以及3个国家基金委创新群体和科技部创新团队等 ，如厦门大学教授张荣，南京大学教授施毅等都是他的学生。
时间
荣誉表彰
1991年
江苏省优秀教育工作者
1992年
江苏省优秀科技工作者
1992年
享受国务院特殊津贴专家
2003年
中国科学院院士
2020年
江苏省科学技术突出贡献奖
江苏省优秀学科带头人
江苏省优秀研究生导师
江苏省教育系统先进工作者
郑有炓人物评价
“郑有炓是中国半导体异质结构材料与器件研究的开拓者和领军人。”（江苏省光电信息功能材料重点实验室评）
“郑有炓在半导体材料与器件的教学科研工作中做出了系统性、创造性的突出贡献。”（南京大学评）
郑有炓补充介绍
郑有炓，
半导体材料与器件物理专家。1935年10月1日生于福建大田。1957年毕业于南京大学物理系。现任南京大学物理系教授。2003年当选为中国科学院院士。
从事新型半导体异质结构材料与器件研究。在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中，发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的光辐射加热方法和新技术。基于锗硅、Ⅲ族氮化物极化能带工程，发展了多种新器件。提出并实现了铁电体/氮化镓、铁磁体/半导体异质结构新体系。发现锗硅合金应变诱导有序化新结构，提出新模型。揭示Ⅲ族氮化物异质结构极化、二维电子气及其相关性质。观测到碲化镉/锑化铟异质结构二维电子气及占据子带规律，开拓II-VI/III-V族异质体系二维电子气研究领域。提出基于锗硅技术实现二氧化硅/硅界面量子限制硅纳米结构。
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